1. Какой из перечисленных факторов непосредственно влияет на количество выбиваемых электронами фотонов в фотоэффекте?
АИнтенсивность падающего света
БДлина волны света
ВПлощадь фотокатода
ГТемпература фотокатода
Увеличение интенсивности повышает число фотонов, падающих на поверхность, а значит, и количество выбиваемых электронов, при прочих равных условиях.
2. Почему в солнечных батареях используют полупроводники с шириной запрещённой зоны около 1,1 эВ?
АЭта энергия соответствует максимуму солнечного спектра
БОна позволяет фотонам видимого света выбивать электроны
ВОна минимизирует тепловые потери в ячейке
ГОна обеспечивает достаточную разность потенциалов для нагрузки
Ширина зоны 1,1 эВ соответствует энергии фотонов видимого света (≈1,1 эВ), что позволяет эффективно использовать большую часть солнечного спектра для генерации электрона в фотоэлементе.
3. В фотодетекторе с фотокатодом, покрытым цинком, какой эффект наблюдается, если свет имеет длину волны 250 нм?
АЭффект Комптона
БОтсутствие фотоэмиссии, так как энергия фотона ниже порога
ВФотоэмиссия, потому что энергия фотона превышает работу выхода цинка
ГПовышение температуры катода без выбивания электронов
Работа выхода цинка ≈4,3 эВ; фотон длиной 250 нм имеет энергию E = hc/λ ≈ 4,96 эВ, что превышает порог, поэтому происходит фотоэмиссия.